STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK (STH180N10F3-6)
Part Number: STH180N10F3-6
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: STripFET™ III
- Состояние детали: Obsolete
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 100V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 60A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 114.6nC @ 10V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 6665pF @ 25V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 315W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: H2PAK-6
- Корпус: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Цена по запросу