STMicroelectronics
MOSFET N CH 800V 6A DPAK (STD8N80K5)
Part Number: STD8N80K5
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: SuperMESH5™
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 800V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950 mOhm @ 3A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 5V @ 100µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 16.5nC @ 10V
- Vgs (Max): ±30V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 450pF @ 100V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 110W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: DPAK
- Корпус: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
2 р.