MOSFET N-CH 60V 7A 8DFN

MOSFET N-CH 60V 7A 8DFN (GKI06185)

Part Number: GKI06185

Documents / Media: datasheets GKI06185

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
  • Серия: -
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: N-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 60V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 15.5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2.5V @ 350µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 23.7nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 1510pF @ 25V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 3.1W (Ta), 46W (Tc)
  • Рабочая температура: 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Исполнение корпуса: 8-DFN (5x6)
  • Корпус: 8-PowerTDFN

Цена по запросу