ROHM Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 5A TSST8 (RT1E050RPTR)
Part Number: RT1E050RPTR
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: P-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 30V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 5A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2.5V @ 1mA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 13nC @ 5V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 1300pF @ 10V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 1.25W (Ta)
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: 8-TSST
- Корпус: 8-SMD, Flat Lead
Цена по запросу