ROHM Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 9A MPT6 (RP1A090ZPTR)
Part Number: RP1A090ZPTR
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR)
- Серия: -
- Состояние детали: Obsolete
- Тип полевого транзистора: P-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 12V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 9A, 4.5V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 1V @ 1mA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 59nC @ 4.5V
- Vgs (Max): ±10V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 7400pF @ 6V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 2W (Ta)
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: MPT6
- Корпус: 6-SMD, Flat Leads
Цена по запросу