MOSFET N-CHANNEL 30V 9.5A 8SOP (RS3E135BNGZETB)

Part Number: RS3E135BNGZETB


Documents / Media: datasheets отсутствует


Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
  • Серия: -
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: N-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 30V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.6 mOhm @ 9.5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2.5V @ 1mA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 8.3nC @ 4.5V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 680pF @ 15V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 2W (Tc)
  • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Исполнение корпуса: 8-SOP
  • Корпус: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Цена по запросу