ROHM Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 3A TSMT3 (RSR030N06TL)
Part Number: RSR030N06TL
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: -
- Состояние детали: Not For New Designs
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 60V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 3A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2.5V @ 1mA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: -
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 380pF @ 10V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 540mW (Ta)
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: TSMT3
- Корпус: SC-96
Цена по запросу