ROHM Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 22A CPT3 (RSD221N06TL)
Part Number: RSD221N06TL
Documents / Media: datasheets RSD221N06TL
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR)
- Серия: -
- Состояние детали: Not For New Designs
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 60V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 22A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 3V @ 1mA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 1500pF @ 10V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 850mW (Ta), 20W (Tc)
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: CPT3
- Корпус: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Цена по запросу