MOSFET N-CH 600V 8A LPTS

MOSFET N-CH 600V 8A LPTS (R6008FNJTL)

Part Number: R6008FNJTL

Documents / Media: datasheets R6008FNJTL

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
  • Серия: -
  • Состояние детали: Not For New Designs
  • Тип полевого транзистора: N-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 600V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950 mOhm @ 4A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4V @ 1mA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 580pF @ 25V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 50W (Tc)
  • Рабочая температура: 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Исполнение корпуса: LPTS
  • Корпус: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Цена по запросу