ROHM Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM (R6030MNX)
Part Number: R6030MNX
Documents / Media: datasheets R6030MNX
Технические характеристики:
- Упаковка: -
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 600V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 15A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 5V @ 1mA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 43nC @ 10V
- Vgs (Max): ±30V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 2180pF @ 25V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 90W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Through Hole
- Исполнение корпуса: TO-220FM
- Корпус: TO-220-3 Full Pack
Цена по запросу