MOSFET N-CH 600V 12A TO-220FM

MOSFET N-CH 600V 12A TO-220FM (R6012FNX)

Part Number: R6012FNX

Documents / Media: datasheets R6012FNX

Технические характеристики:

  • Упаковка: Bulk
  • Серия: -
  • Состояние детали: Not For New Designs
  • Тип полевого транзистора: N-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 600V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 510 mOhm @ 6A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 5V @ 1mA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 35nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 1300pF @ 25V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 50W (Tc)
  • Рабочая температура: 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Through Hole
  • Исполнение корпуса: TO-220FM
  • Корпус: TO-220-3 Full Pack

Цена по запросу