ROHM Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 8A TO-220FM (RDX080N50FU6)
Part Number: RDX080N50FU6
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Bulk
- Серия: -
- Состояние детали: Not For New Designs
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 500V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850 mOhm @ 4A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4V @ 1mA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 28nC @ 10V
- Vgs (Max): ±30V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 920pF @ 25V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 40W (Tc)
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Through Hole
- Исполнение корпуса: TO-220FM
- Корпус: TO-220-3 Full Pack
Цена по запросу