ROHM Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 26A 8HSOP (RS1G260MNTB)
Part Number: RS1G260MNTB
Documents / Media: datasheets RS1G260MNTB
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 40V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 26A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3 mOhm @ 26A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2.5V @ 1mA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 44nC @ 10V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 2988pF @ 20V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 3W (Ta), 35W (Tc)
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: 8-HSOP
- Корпус: 8-PowerTDFN
Цена по запросу