ROHM Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC (RSS090N03FU6TB)
Part Number: RSS090N03FU6TB
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: -
- Состояние детали: Not For New Designs
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 30V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 9A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2.5V @ 1mA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 15nC @ 5V
- Vgs (Max): 20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 810pF @ 10V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 2W (Ta)
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: 8-SOP
- Корпус: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Цена по запросу