MOSFET N-CH 30V 7A 8-HUML

MOSFET N-CH 30V 7A 8-HUML (RF4E070BNTR)

Part Number: RF4E070BNTR

Documents / Media: datasheets RF4E070BNTR

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
  • Серия: -
  • Состояние детали: Not For New Designs
  • Тип полевого транзистора: N-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 30V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.6 mOhm @ 7A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2V @ 250µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 8.9nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 410pF @ 15V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 2W (Ta)
  • Рабочая температура: 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Исполнение корпуса: HUML2020L8
  • Корпус: 8-PowerUDFN

Цена по запросу