MOSFET N-CH 20V 1.5A WEMT6

MOSFET N-CH 20V 1.5A WEMT6 (ES6U2T2R)

Part Number: ES6U2T2R

Documents / Media: datasheets отсутствует

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR)
  • Серия: -
  • Состояние детали: Not For New Designs
  • Тип полевого транзистора: N-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 20V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 1.5A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 1V @ 1mA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 1.8nC @ 4.5V
  • Vgs (Max): ±10V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 110pF @ 10V
  • Особенности полевого транзистора: Schottky Diode (Isolated)
  • Рассеивание мощности (Макс): 700mW (Ta)
  • Рабочая температура: 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Исполнение корпуса: 6-WEMT
  • Корпус: SOT-563, SOT-666

Цена по запросу