ROHM Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 0.2A EMT3 (RE1C002UNTCL)
Part Number: RE1C002UNTCL
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 20V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 100mA, 2.5V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 1V @ 1mA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: -
- Vgs (Max): ±8V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 25pF @ 10V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 150mW (Ta)
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: EMT3F (SOT-416FL)
- Корпус: SC-89, SOT-490
3 р.