MOSFET N-CH 10V DRIVE CPT

MOSFET N-CH 10V DRIVE CPT (R4008ANDTL)

Part Number: R4008ANDTL

Documents / Media: datasheets отсутствует

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR)
  • Серия: -
  • Состояние детали: Not For New Designs
  • Тип полевого транзистора: N-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 400V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950 mOhm @ 4A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4.5V @ 1mA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 15nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 500pF @ 25V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 20W (Tc)
  • Рабочая температура: 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Исполнение корпуса: CPT3
  • Корпус: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Цена по запросу