Renesas Electronics America
MOSFET N-CH (RJK0353DPA-WS#J0B)
Part Number: RJK0353DPA-WS#J0B
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: -
- Серия: -
- Состояние детали: Obsolete
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 30V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2 mOhm @ 17.5A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2.5V @ 1mA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 14nC @ 10V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 2180pF @ 10V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 40W (Ta)
- Рабочая температура: 150°C
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: WPAK(3F) (5x6)
- Корпус: 8-PowerVDFN
Цена по запросу