MOSFET P-CH 200V 2A U-G2

MOSFET P-CH 200V 2A U-G2 (2SJ058200L)

Part Number: 2SJ058200L

Documents / Media: datasheets отсутствует

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR)
  • Серия: -
  • Состояние детали: Obsolete
  • Тип полевого транзистора: P-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 200V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 1A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4V @ 1mA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: -
  • Vgs (Max): ±20V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 400pF @ 20V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 1W (Ta), 10W (Tc)
  • Рабочая температура: 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Исполнение корпуса: U-G2
  • Корпус: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Цена по запросу