MOSFET P-CH 12V 4A WSMINI6

MOSFET P-CH 12V 4A WSMINI6 (FJ6K01010L)

Part Number: FJ6K01010L

Documents / Media: datasheets отсутствует

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
  • Серия: -
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: P-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 12V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 1A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 1V @ 1mA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: -
  • Vgs (Max): ±8V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 1400pF @ 10V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 700mW (Ta)
  • Рабочая температура: 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Исполнение корпуса: WSMini6-F1-B
  • Корпус: 6-SMD, Flat Leads

Цена по запросу