MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23

MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23 (SI2302DS,215)

Part Number: SI2302DS,215

Documents / Media: datasheets отсутствует

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR)
  • Серия: TrenchMOS™
  • Состояние детали: Obsolete
  • Тип полевого транзистора: N-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 20V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 3.6A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 650mV @ 1mA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
  • Vgs (Max): ±8V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 230pF @ 10V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 830mW (Tc)
  • Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Исполнение корпуса: TO-236AB (SOT23)
  • Корпус: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Цена по запросу