Nexperia
MOSFET P-CH 20V 1A 3DFN (PMZB350UPE,315)
Part Number: PMZB350UPE,315
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: P-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 20V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 300mA, 4.5V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 950mV @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 1.9nC @ 4.5V
- Vgs (Max): ±8V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 127pF @ 10V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 360mW (Ta), 3.125W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: 3-DFN1006B (0.6x1)
- Корпус: 3-XFDFN
6 р.