Nexperia
MOSFET N-CH 60V TO-236AB (PMV120ENEAR)
Part Number: PMV120ENEAR
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: Automotive, AEC-Q101
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 60V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123 mOhm @ 2.1A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2.7V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 7.4nC @ 10V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 275pF @ 30V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 513mW (Ta), 6.4W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: TO-236AB (SOT23)
- Корпус: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Цена по запросу