Nexperia
MOSFET N-CH 60V 100A I2PAK (PSMN3R0-60ES,127)
Part Number: PSMN3R0-60ES,127
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tube
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 60V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 25A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4V @ 1mA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 130nC @ 10V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 8079pF @ 30V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 306W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Вид монтажа: Through Hole
- Исполнение корпуса: I2PAK
- Корпус: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Цена по запросу