MOSFET N-CH 30V 3.2A DFN1010D-3G

MOSFET N-CH 30V 3.2A DFN1010D-3G (PMXB56ENZ)

Part Number: PMXB56ENZ

Documents / Media: datasheets PMXB56ENZ

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
  • Серия: -
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: N-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 30V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 3.2A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2V @ 250µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 6.3nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 209pF @ 15V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 400mW (Ta), 8.33W (Tc)
  • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Исполнение корпуса: DFN1010D-3
  • Корпус: 3-XDFN Exposed Pad

1 р.