Microsemi
MOSFET N-CH 500V 56A TO-264 (APT56F50L)
Part Number: APT56F50L
Documents / Media: datasheets APT56F50L
Технические характеристики:
- Упаковка: Tube
- Серия: POWER MOS 8™
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 500V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 28A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 5V @ 2.5mA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 220nC @ 10V
- Vgs (Max): ±30V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 8800pF @ 25V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 780W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Through Hole
- Исполнение корпуса: TO-264 [L]
- Корпус: TO-264-3, TO-264AA
Цена по запросу