MOSFET N-CH 1200V 18A T-MAX (APT12067B2LLG)

Part Number: APT12067B2LLG


Documents / Media: datasheets отсутствует


Технические характеристики:

  • Упаковка: Bulk
  • Серия: POWER MOS 7®
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: N-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 1200V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670 mOhm @ 9A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 5V @ 2.5mA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 150nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 4420pF @ 25V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 565W (Tc)
  • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Through Hole
  • Исполнение корпуса: T-MAX™ [B2]
  • Корпус: TO-247-3 Variant

Цена по запросу