Microsemi
MOSFET N-CH 1000V 65A J3 (APTM100U13SG)
Part Number: APTM100U13SG
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Bulk
- Серия: -
- Состояние детали: Discontinued at Digi-Key
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 1000V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145 mOhm @ 32.5A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4V @ 10mA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 2000nC @ 10V
- Vgs (Max): ±30V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 31600pF @ 25V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 1250W (Tc)
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Исполнение корпуса: Module
- Корпус: J3 Module
Цена по запросу