MOSFET N-CH 1000V 23A SP1

MOSFET N-CH 1000V 23A SP1 (APTM100DA33T1G)

Part Number: APTM100DA33T1G

Documents / Media: datasheets APTM100DA33T1G

Технические характеристики:

  • Упаковка: Bulk
  • Серия: -
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: N-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 1000V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 396 mOhm @ 18A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 5V @ 2.5mA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 305nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 7868pF @ 25V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 390W (Tc)
  • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Chassis Mount
  • Исполнение корпуса: SP1
  • Корпус: SP1

Цена по запросу