MOSFET N-CH 1000V 20A SP1 (APTM100DA40T1G)

Part Number: APTM100DA40T1G


Documents / Media: datasheets отсутствует


Технические характеристики:

  • Упаковка: Bulk
  • Серия: -
  • Состояние детали: Obsolete
  • Тип полевого транзистора: N-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 1000V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480 mOhm @ 16A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 5V @ 2.5mA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 260nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 6800pF @ 25V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 357W (Tc)
  • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Chassis Mount
  • Исполнение корпуса: SP1
  • Корпус: SP1

Цена по запросу