MOSFET N-CH 500V 63A SOT-227

MOSFET N-CH 500V 63A SOT-227 (IXFN80N50Q3)

Part Number: IXFN80N50Q3

Documents / Media: datasheets IXFN80N50Q3

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tube
  • Серия: HiPerFET™
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: N-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 500V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 40A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 6.5V @ 8mA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 200nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 10000pF @ 25V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 780W (Tc)
  • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Chassis Mount
  • Исполнение корпуса: SOT-227B
  • Корпус: SOT-227-4, miniBLOC

Цена по запросу