MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227

MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227 (IXTN200N10T)

Part Number: IXTN200N10T

Documents / Media: datasheets отсутствует

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tube
  • Серия: TrenchMV™
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: N-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 100V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 50A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4.5V @ 250µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 152nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 9400pF @ 25V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 550W (Tc)
  • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа: Chassis Mount
  • Исполнение корпуса: SOT-227B
  • Корпус: SOT-227-4, miniBLOC

Цена по запросу