IR (Infineon Technologies)
MOSFET P-CH TO263-7 (IPB180P04P403ATMA1)
Part Number: IPB180P04P403ATMA1
Documents / Media: datasheets IPB180P04P403ATMA1
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR)
- Серия: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: P-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 40V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 100A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4V @ 410µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 250nC @ 10V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 17640pF @ 25V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 150W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: PG-TO263-7-3
- Корпус: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
165 р.