MOSFET P-CH TO262-3

MOSFET P-CH TO262-3 (IPI80P03P405AKSA1)

Part Number: IPI80P03P405AKSA1

Documents / Media: datasheets отсутствует

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tube
  • Серия: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
  • Состояние детали: Obsolete
  • Тип полевого транзистора: P-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 30V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 80A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4V @ 253µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 130nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 10300pF @ 25V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 137W (Tc)
  • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа: Through Hole
  • Исполнение корпуса: PG-TO262-3-1
  • Корпус: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Цена по запросу