MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-220AB

MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-220AB (SPP18P06PHKSA1)

Part Number: SPP18P06PHKSA1

Documents / Media: datasheets отсутствует

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tube
  • Серия: SIPMOS®
  • Состояние детали: Obsolete
  • Тип полевого транзистора: P-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 60V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 18.7A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 13.2A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4V @ 1mA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 28nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 860pF @ 25V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 81.1W (Ta)
  • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа: Through Hole
  • Исполнение корпуса: PG-TO-220-3
  • Корпус: TO-220-3

Цена по запросу