IR (Infineon Technologies)
MOSFET P-CH 60V 18.7A D2PAK (SPB18P06P)
Part Number: SPB18P06P
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR)
- Серия: SIPMOS®
- Состояние детали: Obsolete
- Тип полевого транзистора: P-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 60V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 18.7A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 13.2A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4V @ 1mA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 28nC @ 10V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 860pF @ 25V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 81.1W (Ta)
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: D²PAK (TO-263AB)
- Корпус: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Цена по запросу