MOSFET P-CH 60V 0.33A SOT23 (BSS83PH6327XTSA1)

Part Number: BSS83PH6327XTSA1


Documents / Media: datasheets BSS83PH6327XTSA1


Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
  • Серия: SIPMOS®
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: P-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 60V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 330mA, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2V @ 80µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 3.57nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 78pF @ 25V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 360mW (Ta)
  • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Исполнение корпуса: SOT-23-3
  • Корпус: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

6 р.