MOSFET P-CH 55V 3.4A 8-SOIC

MOSFET P-CH 55V 3.4A 8-SOIC (IRF7342D2PBF)

Part Number: IRF7342D2PBF

Documents / Media: datasheets отсутствует

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tube
  • Серия: FETKY™
  • Состояние детали: Obsolete
  • Тип полевого транзистора: P-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 55V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 3.4A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 1V @ 250µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 38nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 690pF @ 25V
  • Особенности полевого транзистора: Schottky Diode (Isolated)
  • Рассеивание мощности (Макс): 2W (Ta)
  • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Исполнение корпуса: 8-SO
  • Корпус: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Цена по запросу