MOSFET P-CH 55V 18A I-PAK

MOSFET P-CH 55V 18A I-PAK (IRFU5505PBF)

Part Number: IRFU5505PBF

Documents / Media: datasheets IRFU5505PBF

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tube
  • Серия: HEXFET®
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: P-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 55V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 9.6A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4V @ 250µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 32nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 650pF @ 25V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 57W (Tc)
  • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Through Hole
  • Исполнение корпуса: IPAK (TO-251)
  • Корпус: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

29 р.