IR (Infineon Technologies)
MOSFET P-CH 40V 120A TO220-3 (IPP120P04P4L03AKSA1)
Part Number: IPP120P04P4L03AKSA1
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tube
- Серия: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: P-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 40V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4 mOhm @ 100A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2.2V @ 340µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 234nC @ 10V
- Vgs (Max): ±16V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 15000pF @ 25V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 136W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Вид монтажа: Through Hole
- Исполнение корпуса: PG-TO220-3-1
- Корпус: TO-220-3
142 р.