MOSFET P-CH 30V 8.9A 8-SOIC

MOSFET P-CH 30V 8.9A 8-SOIC (BSO303SPNTMA1)

Part Number: BSO303SPNTMA1

Documents / Media: datasheets отсутствует

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR)
  • Серия: OptiMOS™
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: P-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 30V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 8.9A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2V @ 100µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 69nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 1754pF @ 25V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 2.35W (Ta)
  • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Исполнение корпуса: 8-SO
  • Корпус: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Цена по запросу