IR (Infineon Technologies)
MOSFET P-CH 30V 50A TO252-3 (IPD50P03P4L11ATMA1)
Part Number: IPD50P03P4L11ATMA1
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: OptiMOS™
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: P-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 30V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5 mOhm @ 50A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2V @ 85µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 55nC @ 10V
- Vgs (Max): +5V, -16V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 3770pF @ 25V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 58W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: PG-TO252-3
- Корпус: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
57 р.