IR (Infineon Technologies)
MOSFET P-CH 30V 4A 6-TSOP (IRF5800TRPBF)
Part Number: IRF5800TRPBF
Documents / Media: datasheets IRF5800TRPBF
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR)
- Серия: HEXFET®
- Состояние детали: Obsolete
- Тип полевого транзистора: P-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 30V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 4A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 1V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 17nC @ 10V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 535pF @ 25V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 2W (Ta)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: Micro6™(TSOP-6)
- Корпус: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Цена по запросу