MOSFET P-CH 30V 4A 6-TSOP (IRF5800TRPBF)

Part Number: IRF5800TRPBF


Documents / Media: datasheets IRF5800TRPBF


Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR)
  • Серия: HEXFET®
  • Состояние детали: Obsolete
  • Тип полевого транзистора: P-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 30V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 4A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 1V @ 250µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 17nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 535pF @ 25V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 2W (Ta)
  • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Исполнение корпуса: Micro6™(TSOP-6)
  • Корпус: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Цена по запросу