IR (Infineon Technologies)
MOSFET P-CH 30V 10A 8SOIC (AUIRF7416QTR)
Part Number: AUIRF7416QTR
Documents / Media: datasheets AUIRF7416QTR
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR)
- Серия: HEXFET®
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: P-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 30V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 5.6A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2.04V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 92nC @ 10V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 1700pF @ 25V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 2.5W (Ta)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: 8-SO
- Корпус: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Цена по запросу