MOSFET P-CH 20V 8.6A 8-TSSOP (IRF7700GTRPBF)

Part Number: IRF7700GTRPBF


Documents / Media: datasheets IRF7700GTRPBF


Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR)
  • Серия: HEXFET®
  • Состояние детали: Obsolete
  • Тип полевого транзистора: P-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 20V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 8.6A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 1.2V @ 250µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 89nC @ 5V
  • Vgs (Max): ±12V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 4300pF @ 15V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 1.5W (Ta)
  • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Исполнение корпуса: 8-TSSOP
  • Корпус: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Цена по запросу