IR (Infineon Technologies)
MOSFET P-CH 20V 8.2A MICRO8 (IRF7663TR)
Part Number: IRF7663TR
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Cut Tape (CT)
- Серия: HEXFET®
- Состояние детали: Obsolete
- Тип полевого транзистора: P-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 20V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 7A, 4.5V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 1.2V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 45nC @ 5V
- Vgs (Max): ±12V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 2520pF @ 10V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 1.8W (Ta)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: Micro8™
- Корпус: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Цена по запросу