MOSFET P-CH 20V 6.7A 8-SOIC

MOSFET P-CH 20V 6.7A 8-SOIC (IRF7404QTRPBF)

Part Number: IRF7404QTRPBF

Documents / Media: datasheets отсутствует

Технические характеристики:

  • Упаковка: Cut Tape (CT)
  • Серия: HEXFET®
  • Состояние детали: Obsolete
  • Тип полевого транзистора: P-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 20V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 3.2A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 700mV @ 250µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 50nC @ 4.5V
  • Vgs (Max): ±12V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 1500pF @ 15V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 2.5W (Ta)
  • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Исполнение корпуса: 8-SO
  • Корпус: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Цена по запросу