IR (Infineon Technologies)
MOSFET P-CH 100V 13A DPAK (AUIRFR5410)
Part Number: AUIRFR5410
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tube Alternate Packaging
- Серия: HEXFET®
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: P-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 100V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205 mOhm @ 7.8A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 58nC @ 10V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 760pF @ 25V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 66W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: D-Pak
- Корпус: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
89 р.