IR (Infineon Technologies)
MOSFET P-CH 100V 0.36A SC-59 (BSR316PL6327HTSA1)
Part Number: BSR316PL6327HTSA1
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR)
- Серия: SIPMOS®
- Состояние детали: Discontinued at Digi-Key
- Тип полевого транзистора: P-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 100V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 360mA (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 360mA, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 1V @ 170µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 7nC @ 10V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 165pF @ 25V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 500mW (Ta)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: PG-SC-59
- Корпус: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Цена по запросу